1. MC1413DR2
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图片仅供参考,产品以实物为准

厂商型号

MC1413DR2 

产品描述

Transistors Darlington High Voltage High

内部编号

277-MC1413DR2

生产厂商

ON Semiconductor

onsemi

#1

数量:11521
1+¥3.2361
25+¥3.0049
100+¥2.8508
500+¥2.7738
1000+¥2.6197
最小起订金额:¥₩600
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#2

数量:0
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MC1413DR2产品详细规格

规格书 MC1413DR2 datasheet 规格书
MC1413(B), NCV1413B
文档 Multiple Devices 14/Apr/2010
Rohs Contains lead / RoHS non-compliant
产品更改通知 Product Obsolescence 14/Apr/2010
标准包装 1
Darlington Array
驱动器/接收器数 7/0
协议 -
- 电源电压 5V
安装类型 Surface Mount
包/盒 16-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
供应商器件封装 16-SOIC
包装材料 Cut Tape (CT)
电流 - 集电极( Ic)(最大) 500mA
晶体管类型 7 NPN Darlington
安装类型 Surface Mount
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 1.6V @ 500µA, 350mA
标准包装 1
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 50V
供应商设备封装 16-SOIC
封装 Cut Tape (CT)
封装/外壳 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 1000 @ 350mA, 2V
其他名称 MC1413DR2OSCT
RoHS指令 Contains lead / RoHS non-compliant
供应商器件封装 16-SOIC
不同 Ib、Ic 时的 Vce 饱和值(最大值) 1.6V @ 500µA, 350mA
晶体管类型 7 NPN Darlington
不同 Ic、Vce 时的 DC 电流增益 (hFE)(最小值) 1000 @ 350mA, 2V
封装/外壳 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 500mA
电压 - 集射极击穿(最大值) 50V

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